Устройство, которое, скорее всего, Samsung Galaxy S9 + появляется в популярной базе данных бенчмарка geekbench. Телефон имеет код продукта SM-G965 и имеет результат 2422 балла в одноядерном тестировании, а в многоядерном в общей сложности набирает 8351 балл.
Специальная версия Galaxy S9 + оснащена процессором Snapdragon 845, который будет доступен только на определенных рынках, в то время как большинство пользователей получат процессор Exynos. По сравнению с другими телефонами Samsung нет другой модели компании, которая имеет более 2000 баллов для одноядерных и более 6500 баллов для многоядерных тестов, поэтому мы ожидаем значительного повышения производительности. Для теста использовался Android 8.0 Oreo, а база данных показывает, что смартфон был оснащен 6 ГБ оперативной памяти.
Samsung представил 4 января новый флагманский процессор Exynos
Журнал Forbes и производитель телефонов Ghostek опубликовали фотографии флагманского смартфона Samsung. Судя по изображениям, Galaxy S9, очевидно, не будет сильно отличаться от своего предшественника.
Корпус устройства будет стеклянный, с металлической рамкой сбоку. Сканер отпечатков пальцев находится ниже задней камеры, а рамка экрана еще тоньше.
Корейцы оставят аудио выход 3,5 мм. Galaxy S9 и S9 + будут иметь экраны 5,8 и 6,2 дюймов с соотношением сторон 18: 9, процессор Snapdragon 845 и Exynos 9810, 4 и 6 ГБ оперативной памяти, батарею емкостью 3200 мА·ч
Samsung Galaxy S9 будет выглядеть так
Журнал Forbes и производитель телефонов Ghostek опубликовали фотографии флагманского смартфона Samsung. Судя по изображениям, Galaxy S9, очевидно, не будет сильно отличаться от своего предшественника, как и чехол samsung galaxy s9 plus.
Корпус устройства будет стеклянный, с металлической рамкой сбоку. Сканер отпечатков пальцев находится ниже задней камеры, а рамка экрана еще тоньше.
Корейцы оставят аудио выход 3,5 мм. Galaxy S9 и S9 + будут иметь экраны 5,8 и 6,2 дюймов с соотношением сторон 18: 9, процессор Snapdragon 845 и Exynos 9810, 4 и 6 ГБ оперативной памяти, батарею емкостью 3200 мА·ч
